Samsung’dan yeni 30nm’lik DDR3

Tarih: 2 Şubat 2010 | Kategori: Donanım | Yazar: Sinan Yorulmaz | Yorum Yok

Koreli elektronik firması Samsung, ilk 30nm‘lik DRAM‘i üretti. 2 Gigabit yoğunluğa sahip olan DDR3 hafıza çipi, DDR3′ün verimliliğini %60 arttırıyor. Samsung başkanı Soo-In Cho yaptığı açıklamada, 30nm sınıfı DRAM’lerin hızlandırılmış geliştirilmesinin Samsung’u hafıza pazarında üstlerde tutacağını belirtti. Samsung‘un 30nm‘lik 2Gb DRAM’leri, güç tüketimini 50nm‘lere göre %30 azaltırken, masaüstü, laptop, sunucular, netbooklar ve mobil cihazlara kadar her türlü üründe kullanılacak. 30nm’lik çipin bu yılın ikinci yarısında toplu üretime girmesi bekleniyor.

Kaynak: #

Yorum yap!


Tema: Zinmag Primus Kaynak göstermeden içerik kopyalamak yasaktır! | Düzenleme: Sinan Yorulmaz | Alt yapı: WordPress | Site haritası: Sitemap